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方正微电子的0.5um trench pt-igbt(沟槽、穿通型igbt)工艺技术于今年10月成功进入量产,这些产品主要应用于家用电器的开关电源,具有非常高的技术价值和经济价值。继2010年trench dmos(沟槽型dmos)工艺技术实现量产之后,方正微电子持续提高关键工艺能力、改善产品良率,并引进海外知名大客户,成功导入和开发出trench igbt产品。这一工艺技术的量产,表明方正微电子在trench器件(沟槽型大电流高压功率器件)领域已经具备较高的研发和制造能力,可为海内外客户提供完善的、高质量的代工服务。