6月4日,武汉新芯集成电路制造有限公司透露,其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(spi nor flash)芯片已全线量产。
目前,在全球nor flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术,已逼近此类芯片的物理极限,无论是存储单元面积还是存储密度,均达到国际先进水平。
据了解,武汉新芯50纳米闪存技术于2019年12月取得突破,随后投入量产准备。从65纳米到50纳米的跃升,武汉新芯用了18个月。
flash指非易失性存储介质。此次量产产品为宽电源电压产品系列xm25qwxxc,容量覆盖16兆到256兆。性能测试显示,在1.65伏至3.6伏电压范围内,该系列nor flash存储芯片的工作频率可达133兆赫,即使在零下40℃或105℃这种极端温度下,依然不会停止“芯跳”。其无障碍重复擦写可达10万次,数据保存时间长达20年。
研发人员介绍,作为nor flash存储芯片中的“闪电侠”,该芯片在连续读取模式下,能实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指令周期,即可读取24位地址。不仅如此,它还可使便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上,令用户通过宽电压功能实现更好的库存管理。
“对此次研发而言,最难的挑战是速度、功耗和可靠性。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏说,随着50纳米nor闪存的重大突破,武汉新芯将在性能和成本上进一步提高竞争力,针对快速发展的物联网和5g市场,持续研发自有品牌的闪存产品,不断拓展产品线。
近期,武汉新芯与业内领先的物联网核心芯片和亚博88体育的解决方案平台乐鑫科技达成长期战略合作,双方将围绕物联网应用市场,在物联网、存储器芯片与应用方案开发上展开合作。乐鑫科技ceo张瑞安表示,武汉新芯nor flash存储芯片,支持低功耗、宽电压工作,能满足该平台全系物联网芯片、智能家居及工业模组的应用要求。
武汉新芯成立于2006年,专注于nor flash存储芯片的研发制造,并以全球领先的半导体三维集成制造技术,在图像传感器、射频芯片、dram存储器等产品上,不断实现性能和架构突破。