1月19日，湖南三安半导体项目最大单体m2b芯片厂房顺利完成封顶，该栋厂房占地面积2.36 万平方米、建筑面积5.23 万平方米，钢构大屋面面积为1.65 万平方米。此次封顶标志着这座湖南省境内的首个第三代半导体产业园项目（一期）1 标段主体工程全部完成。
据了解，该项目位于长沙高新区，总投资160 亿，总占地面积1000 亩，规划主附建筑物81 栋，分两期建设。当前项目一期由中建五局三公司负责施工建设，主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设。项目全面建成投产后将形成两条并行的碳化硅研发、生产全产业链产线，产品为高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器件，可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线（5g）通信等。
据悉，该项目全部建成后预计可实现年产值120 亿元以上，可提供4500 个就业岗位，预计将带动上下游配套产业产值超1000 亿元。项目的实施，将推动湖南长沙先进半导体产业的壮大，助力长沙成为碳化硅市场和化合物半导体领域在国内的领先地位。