rf ldmos具有频率高、功率容量大、线形度好、效率高等突出优势。fmic拥有成熟的28v rf ldmos工艺,频率涵盖400mhz~2700mhz。
1) 工艺特性
ø 背面源技术
ø 厚氧隔离工艺
ø multi-resurf 技术
ø 超低的栅极电阻
ø 屏蔽环工艺
ø 厚铝工艺
2) 典型应用
ø rf功率放大器
ø hf、vhf和uhf广播传输器
ø 微波雷达与导航系统
ø cdma、w-cdma、tetra、数字地面电视
rf ldmos具有频率高、功率容量大、线形度好、效率高等突出优势。fmic拥有成熟的28v rf ldmos工艺,频率涵盖400mhz~2700mhz。
1) 工艺特性
ø 背面源技术
ø 厚氧隔离工艺
ø multi-resurf 技术
ø 超低的栅极电阻
ø 屏蔽环工艺
ø 厚铝工艺
2) 典型应用
ø rf功率放大器
ø hf、vhf和uhf广播传输器
ø 微波雷达与导航系统
ø cdma、w-cdma、tetra、数字地面电视
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